介绍

霍尔效应测试仪，主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试

仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

可测试材料

1.半导体材料：SiGe， S1C， InAs， InGaAs， InP， A1GaAs， HgCdTe和铁氧体材料等等。

2.低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。

3.高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等。